BCR 133F E6327
Hersteller Produktnummer:

BCR 133F E6327

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BCR 133F E6327-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-TSFP-3

Inventar:

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12835002
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BCR 133F E6327 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
130 MHz
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSFP-3
Basis-Produktnummer
BCR 133

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BCR 133F E6327
HTML-Datenblatt
BCR 133F E6327-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SP000014049
BCR133FE6327
BCR133FE6327XT
BCR 133F E6327-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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